随着纳米技术、半导体微电子技术的发展，其领域相关器件、材料的尺寸有着更加精细化的要求，往往以纳米作为单位。厚度精确可控的镀膜技术——原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition，以下简称“ALD技术”）因此逐渐成为相关制造领域的关键技术之一，在半导体芯片、纳米技术、新能源、生物医药等领域有巨大的应用前景。
位于松山湖国际创新创业社区的东莞纳锋微电子装备有限公司（以下简称“纳锋微电子”）创始人李湘林在ALD技术领域有着十多年经验积累，其独立带队、自主研发出技术领先的国产原子层沉积装备系统，并开发先进ALD工艺，拓展ALD应用领域，开展高端微电子装备国产化替代、填补技术空白和参与国际高端竞争。
东莞纳锋微电子装备有限公司是专注于先进薄膜沉积装备的开发、设计、生产和服务的高科技企业。纳锋的核心技术是先进的原子层沉积 (Atomic Layer Deposition，ALD)技术与装备，为新能源、柔性电子、光学镀膜、半导体和纳米技术等领域薄膜的研发和生产提供整体解决方案。公司同时提供与原子层沉积技术相关的技术咨询、技术培训、技术开发、镀膜代工等服务。
李湘林在读博期间开始接触ALD技术，在课题研究期间，他意识到ALD技术的应用场景广泛，但市面上的设备工艺却无法满足实际研究应用需求，包括各种设备的镀膜使用原材料相对受限、镀膜速度缓慢等。
为推动在校实验课题的顺利开展，李湘林开始深入学习，尝试改造、设计ALD技术设备。有一回，李湘林在学校实验室参与课题研究的过程中，其导师正在使用的ALD设备出现故障。导师便让有物理专业基础的李湘林来检查维修，李湘林检查完设备后说:“设备本身不容易维修，我们自己可以做一台。”
“实验有需求，师生也有需要，我们自己动手改造设备、开发工艺，以满足不同实验场景需求，这也让学校的老师们对我留下深刻印象。”李湘林表示，正是这样一个契机，让他在博士毕业后，选择继续留在学校设计ALD系统、搭建研究型ALD样机。最终，这些样机在南洋理工大学投入使用，并成功产出科研成果。
2018年，在深入了解广东多地的扶持政策、创业环境后，李湘林选择了东莞松山湖，与东莞同济大学研究院签订孵化协议，在此成立东莞纳锋微电子装备有限公司，并于同年完成研究型ALD产品开发及测试。
通过自主研发，企业研发技术能最大程度压缩镀膜过程中各环节反应时间，纳锋微电子的ALD技术设备在保证镀膜均匀度、厚度可控度的基础上，镀膜单循环时间缩短至最短 3 秒内，速度是同行业产品的 1/10 至 1/4。
“由于缺少相关关键技术，目前ALD量产技术都被国外的设备大厂如ASMI、AMAT、TEL等垄断，国内量产型ALD设备制造企业几乎空白，进口设备相对昂贵外，在实际开展研究和应用上也有很多功能限制。”李湘林表示，企业研发的技术设备能广泛适用液态、气态、固态的镀膜原料，且具有反应源耗量小、多种沉积模式兼容等优点。
由李湘林博士领衔的公司创业团队研发的ALD设备具备完全自主知识产权，相较于其他国内外品牌产品，具有明显的技术优势，如沉积速度快（ALD单循环时间小于3秒）、反应源耗量小、多种沉积模式兼容等优点。公司早期主要针对国内高校、研究所市场需求，通过逐步的技术、资本累积，发展工业应用型高端ALD和针对储能领域开发批量生产型粉体镀膜ALD装备相关镀膜工艺，未来进入工业市场，助力相关领域的发展。
李湘林坦言，技术出身的自己更倾向于全身心投入研发和实验，自身并不擅长市场开拓、企业运营的工作。创业期间，东莞同济大学研究院为其创办企业提供企业注册、引进职工等服务。
由于公司产品专业性高，主要应用场景为高校、研发机构及企业的实验室内，招到熟悉该专业领域的销售人才并非易事，企业也因此长时间由李湘林一人维持着“佛系”推销的状态。
“企业过去的重心并非开拓市场，更多聚焦于新产品的研发，由于以前读博时的导师、同学们都知道我在开发这类产品，我也发表过一些相关论文，客户便顺藤摸瓜联系上我，纳锋微电子在没有大范围推广的情况下，用口碑赢得一个个客户的认可，逐渐成长起来。”李湘林表示，有客户开展课题研究，一次实验耗时长却始终没有进展，他便自己把研究样品带到公司进行试验，客户看到高效率产出的实验结果便主动签下订单。
随着口碑逐渐扩大，目前，纳锋微电子ALD系统成功交付到湖南大学、南开大学、同济大学等高校，并与中山大学、中南大学、南京工业大学等知名高校达成合作。截止2021年，纳锋微电子装备有限公司完成销售总额600万元，2022年预计销售突破1000万元。2021年纳锋微电子装备有限公司成功入选广东省高新技术企业、科技型中小企业、国家海外留学人员创业重点支持企业。
原子层沉积技术（ALD）是一种基于表面化学反应、自限制生长的化学气相薄膜制备技术，它可以沉积均匀、厚度原子层级精确可控、成分精确可调的超薄保型薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，因此所使用材料的厚度也降低至十几纳米到几个纳米数量级。
▲ALD四个步骤：a）基底暴露于前驱体1分子，吸附一理想单分子层；b）惰性载气清扫过量的前驱 体1和副反应产物；c）基底暴露于前驱体2分子，与吸附的前驱体1分子反应生成单层沉积材料；b）惰性载气清扫过量的前驱体2及副反应产物。通过 ALD循环次数控制薄膜厚度。
李湘林透露，目前企业还在研发量产型的ALD镀膜设备，其最大镀膜尺寸为12寸。李湘林自己也计划着手验证ALD技术在储能领域的应用，如提高电池寿命及安全性等，同时，与合作机构一同开发ALD技术在新型超表面结构光学器件、微机电系统（ＭＥＭＳ）、光伏（ＰＶ）电池等领域的应用以及发表相关验证论文等工作。
“相比寻找投资人融资，我更希望接下来能与一些企业开展战略合作，在现有研发工艺基础上拓展更多实用型设备。纳锋微电子接下来也将开始加大力度寻找合适的职业经理人，希望未来企业团队能一起将这个国产品牌进一步做强做大。”李湘林说。同时也欢迎有志之士的加入。
2002年考入bd综合下载物理学院物理学专业，2006年获理学学士学位。
2006年以优异的成绩保送至bd综合下载超硬材料国家重点实验室刘冰冰教授课题组，2009年获理学硕士学位。
在bd综合下载学习期间多次获得国家奖学金。
2009年到新加坡南洋理工大学攻读博士学位，2014年获理学博士学位。
十多年来，李湘林博士潜心ALD装备、工艺技术研发，并于2018年成为湖湘青年英才入选者，2019年成为首批松山湖创新创业领军人才项目入选者，发表SCI论文50余篇，论文他引2000余次。
